Родился 15 февраля 1931 года в Москве .

В 1955 году он окончил Московский институт стали и сплавов по специальности "инженер-металлург" и начал научную работу в Институте металловедения
и физики металлов Центрального научно-исследовательского института
черной металлургии .
Параллельно он получил дополнительное теоретическое образование
на механико-математическом факультете Московского Государственного
университета имени М.В.Ломоносова .

В 1962 году под руководством Академика Г.В. Курдюмова он защитил
кандидатскую диссертацию .

Выдающиеся таланты Юрия Андреевича , учёного и организатора , проявились
при организации , становлении и развитии Института физики твердого тела .

С 1962-го по 1963 год Ю.А. Осипьян являлся заместителем Директора
по научной работе Института кристаллографии Академии Наук СССР ,
с 1963-го по 1973 год - заместителем Директора по научной работе и с 1973-го
до 2002 год - Директором Института физики твердого тела Академии Наук СССР .
В 2002 году Юрий Андреевич Осипьян стал Научным руководителем Института
физики твёрдого тела Российской Академии наук .

Им опубликованы более 200 научных работ , посвященных теории фазовых превращений , физике прочности , физике электрических и магнитных явлений ,
физике полупроводников , оптике и т.д .

В начале 1960-х годов Ю.А. Осипьян начал проводить пионерские экспериментальные исследования , связанные с изучением взаимодействия электронов с протяженными дефектами в кристаллах .
В этот период он открыл неожиданное и интересное явление , известное
в настоящее время в научной литературе как фотопластический эффект .

Юрий Андреевич совместно с учениками обнаружил электропластический эффект
и наличие заряда на дислокациях в полупроводниках А2В6 , существование кластеров "оборванных" валентных связей в ядрах дислокаций в кремнии , электронный спиновый резонанс и спин-зависимую рекомбинацию на дислокациях .
Изящные эксперименты по высокочастотной проводимости привели
к обнаружению квази-одномерных электронных зон , связанных с дислокациями
и комбинированного резонанса электронов на дислокациях в кремнии .
Было установлено влияние магнитного поля на пластическую деформацию сверхпроводников и было показано , что состояние электронной системы сильно влияет на пластическую деформацию , т.е. на движение дислокаций через исследуемый кристалл , и , в свою очередь , введение дислокаций приводит
к изменению свойств электронной системы в пластически деформированных кристаллах .
Из первых экспериментов по электронному парамагнитному резонансу
на оборванных связях в настоящее время развился мощный метод
диагностики полупроводников - электронная парамагнитная резонансная спектроскопия дефектов в полупроводниках .
Все эти работы послужили становлению новой , успешно развивающейся области физики - физики дислокаций в полупроводниковых кристаллах .
Вклад Юрия Андреевича Осипьяна и созданной им научной школы в развитии
этого направления физики твердого тела получили широкое международное признание , а российская наука в области дислокационной физики твердого
тела заняла ведущее положение .

Ю.А. Осипьян стал организатором Государственной программы СССР
по высокотемпературной сверхпроводимости .
По его предложению в Института физики твердого тела Российской Академии Наук был проведен ряд исследований структурных и физических свойств кристаллов высокотемпературных сверхпроводников , в частности , изучена структура
магнитного потока в сверхпроводнике , анизотропия проводимости .
Проведенные под его руководством исследования быстро завоевали
авторитет и международное признание в этой актуальной области физики .
Неоценим вклад Юрия Андреевича в организацию научных исследований
в масштабах нашей страны , который он осуществлял , находясь на различных высоких постах в структуре Президиума Р оссийской Академии Наук .

Делом всей его жизни стала организация и становление Института физики твердого тела РАН , подбор и воспитание научных кадров , обеспечение и поддержание высокого научного уровня ведущихся в нем исследований .
В настоящее время институт представляет собой одно из крупнейших
академических учреждений физического профиля в России , является
признанным научным центром , где проводится широкий круг исследований
в области физики конденсированного состояния и физического
материаловедения .

Юрий Андреевич Осипьян был прекрасным педагогом и воспитателем
научных кадров .
По его инициативе в Черноголовке при ИФТТ РАН были созданы кафедра физики твердого тела Московского физико-технического института и филиал кафедры физической химии Московского института стали и сплавов .
На протяжении многих лет он читал лекции студентам и аспирантам .
До самых последних дней своей жизни заведовал кафедрой физики
твёрдого тела Московского физико-технического института .

Под руководством Ю.А. Осипьяна защитили диссертации десятки будущих
крупных российских ученых .

28 ноября 1972 года Юрий Андреевич Осипьян был избран Членом-корреспондентом , а 29 декабря 1981 года - Действительным членом
Академии наук СССР по отделению общей физики и астрономии .

С 20 ноября 1988 года по 19 декабря 1991 года являлся Вице-президентом
Академии наук СССР (Российской Академии Наук ) .

Ю.А. Осипьян также являлся Председателем комитета учёных
за международную безопасность и контролем над вооружениями ;
Председателем Национального комитета российских кристаллографов ;
Советником Президиума Российской Академии наук ;
Членом Бюро отделения нанотехнологий и секции информационных
технологий Российской Академии наук ;
Председателем Научного Совета Академии наук СССР
"Физика, химия и механика поверхности" , Членом Бюро Совета Российской Академии Наук по космосу ,
Председателем Научного совета АН СССР (РАН ) по проблемам
космического материаловедения , председателем Научного Совета
по Государственной научно-технической программе "Марс" ,
Членом Бюро Отделения физических наук Российской Академии Наук ,
Председателем Научного совета РАН по физике конденсированных сред , Межведомственной экспертной комиссии по космосу ,
Заместителем Председателя Координационного научно-технического совета
Российского космического агентства по программам научных и прикладных исследований на пилотируемых космических комплексах , Председателем
секции "Космическое материаловедение" Совета РАН по космосу .

Он был избран иностранным членом Национальных Академий Болгарии ,
Венгрии , Польши , Чехии , членом Национальной инженерной академии США , Международной Академии астронавтики , он успешно возглавлял Международный Союз в области чистой и прикладной физики (IUPAP ) ,
Членом Президиума Российского Пагуошского комитета .

Он - Автор более ста научных работ посвященных теории фазовых превращений , физике прочности , физике электрических и магнитных явлений , физике полупроводников , оптике .

Ю.А. Осипьян был Главным редактором журналов Российской Академии наук : "Квант" , "Поверхность . Физ ика, химия, механика" , "Поверхность . Рентгеновские , синхротронные и нейтронные исследования" .

Был депутатом Ногинского городского Совета депутатов трудящихся
( в 1967-1971 годах ) , Московского областного Совета депутатов трудящихся
( в 1971-1973 годах ) , Н ародным депутатом СССР ( в 1989 году ) ,
членом Президентского совета СССР ( в 1990 году ) .

Являлся членом Совета Президента СССР ,

Награды и звания :
Указом Президиума Верховного Совета СССР от 16 апреля 1986 года
"За большие заслуги в развитии физической науки и подготовке научных кадров" Директору Института физики твердого тела Академии Наук СССР
Осипьяну Юрию Андреевичу присвоено звание Героя Социалистического Труда
с вручением ордена Ленина и золотой медали "Серп и Молот" .

Кроме этого он награждён двумя орденами Трудового Красного Знамени
(1971 , 1975 ), "За заслуги перед Отечеством" II степени (1999 ),
медалями "За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня
рождения В.И. Ленина" (1970 ), "За укрепление боевого содружества" .
За исследования в области физики дислокаций в 1984 году
Ю.А. Осипьян был награжден одной из высших наград по физике -
Золотой медалью имени П.Н. Лебедева Российской Академии Наук .

В 1988 году он был награжден Международной премией
и Золотой медалью имени А.П. Карпинского .

За фундаментальный вклад в физику дислокаций в твердых телах
и открытие фотопластического эффекта в 2005 году Ю.А. Осипьян награжден
высшей наградой Российской академии наук - Большой золотой медалью
Российской академии наук имени М.В. Ломоносова .

Дополните информацию о персоне

Большая_золотая_медаль_имени_М.В._Ломоносова.jpg

Орден_«За_заслуги_перед_Отечеством»_II_степени.jpg

Орден_Ленина.jpg

Орден_Трудового_Красного_Знамени.jpg

Биография

В 1955 - окончил Московский институт стали и сплавов.

В 1957 - окончил факультет математики МГУ имени М.В. Ломоносова.

Параллельно занимался научной работой в Институте металлофизики ЦНИИ ЧерМет.

В 1968 - защитил докторскую диссертацию, а в возрасте 37 лет стал академиком АН СССР.

Директор Подмосковного филиала МГУ, заведующий кафедрой физики конденсированного состояния филиала физического факультета.

В сентябре-декабре 1991 - советник Президента СССР.

Научно-организационная деятельность

• вице-президент АН СССР (1988-1991)
• вице-президент Российской Академии Наук (1991)
• председатель Президиума Научного центра РАН в г. Черноголовка (Моск. обл.)
• председатель Комитета ученых за международную безопасность и контроль над вооружением РАН
• председатель Научного совета по физике конденсированных сред
• председатель Национального комитета российских кристаллографов
• председатель секции литературы по физико-математическим наукам
• член Бюро отделения физических наук РАН (секция общей физики и астрономии)
• член Бюро Совета РАН по космосу
• главный редактор журнала «Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования» РАН
• главный редактор журнала «Квант»

Достижения

• член-корреспондент АН СССР (1972)
• действительный член АН СССР (1981)
• народный депутат СССР

Награды

• орден Трудового Красного Знамени (2) (1971, 1975)
• золотая медаль имени П.Н.Лебедева (1984) (за цикл работ «Исследование влияния света на пластическую деформацию кристаллов и открытие фотопластического эффекта»)
• Герой Социалистического Труда (1986)
• орден Ленина (2) (1981, 1986)
• золотая медаль имени А.П. Карпинского (ФРГ) (1988)
• орден Симона Боливара (Колумбия)(1990)
• орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (1999)
• орден Свободы и Единства (Ассоциации за единство Латинской Америки)
• Большая золотая медаль имени М.В. Ломоносова (2005, РАН) (за фундаментальный вклад в физику дислокаций в твёрдых телах и открытие фотопластического эффекта)

Членство в международных организациях

• президент общества «Россия - Германия» (1988)
• президент Международного союза чистой и прикладной физики (IUРАР) (1990-1994)
• член Международной академии астронавтики
• член Международного комитета СОSPAR
• член Совета Европейского физического общества

Член национальных академий наук

• Болгарии
• Венгрии
• Польши
• Чехии

О сипьян Юрий Андреевич – выдающийся российский советский ученый в области физики, организатор науки, директор Института физики твердого тела АН СССР, академик АН СССР, доктор физико-математических наук, профессор.

Родился 15 февраля 1931 года в Москве. В 1955 году окончил Московский институт стали и сплавов по специальности «инженер-металлург». Начал научную работу в Институте металловедения и физики металлов Центрального научно-исследовательского института черной металлургии: младший и старший научный сотрудник. Параллельно получил дополнительное теоретическое образование на механико-математическом факультете Московского государственного института (МГУ) имени М.В.Ломоносова, который окончил в 1959 году.

В 1962 году под руководством академика Г.В.Курдюмова защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. С 1962 года - заместитель директора по научной работе Института кристаллографии АН СССР. С 1963 года - заместитель директора Института физики твердого тела АН СССР в городе Черноголовка Московской области. Свой талант выдающегося ученого Осипьян отдал физике твердого тела. Им опубликованы более 200 научных работ, посвященных теории фазовых превращений, физике прочности, физике электрических и магнитных явлений, физике полупроводников, оптике. В начале 1960-х годов Осипьян начал проводить пионерские экспериментальные исследования, связанные с изучением взаимодействия электронов с протяженными дефектами в кристаллах. В этот период он открыл неожиданное и интересное явление, известное в настоящее время в научной литературе как фотопластический эффект.

Осипьян совместно с учениками обнаружил электропластический эффект и наличие заряда на дислокациях в полупроводниках А2В6, существование кластеров «оборванных» валентных связей в ядрах дислокаций в кремнии, электронный спиновый резонанс и спин-зависимую рекомбинацию на дислокациях. Изящные эксперименты по высокочастотной проводимости привели к обнаружению квази-одномерных электронных зон, связанных с дислокациями и комбинированного резонанса электронов на дислокациях в кремнии. Было установлено влияние магнитного поля на пластическую деформацию сверхпроводников и было показано, что состояние электронной системы сильно влияет на пластическую деформацию, то есть на движение дислокаций через исследуемый кристалл, и, в свою очередь, введение дислокаций приводит к изменению свойств электронной системы в пластически деформированных кристаллах. Из первых экспериментов по электронному парамагнитному резонансу на оборванных связях в настоящее время развился мощный метод диагностики полупроводников – ЭПР спектроскопия дефектов в полупроводниках.

Все эти работы послужили становлению новой, успешно развивающейся области физики – физики дислокаций в полупроводниковых кристаллах. Вклад Осипьяна и созданной им научной школы в развитии этого направления физики твердого тела получили широкое международное признание, а российская наука в области дислокационной физики твердого тела заняла ведущее положение.

В 1972 году он был избран членом-корреспондентом, а в 1981 году – действительным членом (академиком) АН СССР. За исследования в области физики дислокаций в 1984 году Осипьян был награжден одной из высших наград по физике АН СССР – Золотой медалью имени П.Н.Лебедева. Позже он был награжден Международной премией и Золотой медалью имени А.П.Карпинского (1988).

Выдающиеся таланты Осипьяна, ученого и организатора, проявились при организации, становлении и развитии Института физики твердого тела. С 1973 по 2002 год – директор Института физики твердого тела (ИФТТ) АН СССР. В 2002 году академик Осипьян стал научным руководителем Института физики твердого тела РАН.

Блистательный талант научного руководителя Осипьян продемонстрировал, создав и возглавив Государственную программу СССР по высокотемпературной сверхпроводимости. По его предложению в ИФТТ РАН был проведен ряд исследований структурных и физических свойств кристаллов высокотемпературных сверхпроводников, в частности, изучена структура магнитного потока в сверхпроводнике, анизотропия проводимости. Проведенные под его руководством исследования быстро завоевали авторитет и международное признание в этой актуальной области физики. Неоценим вклад Осипьяна в организацию научных исследований в масштабах нашей страны, который он осуществлял, находясь на различных высоких постах в структуре Президиума РАН.

Делом всей его жизни стала организация и становление Института физики твердого тела РАН, подбор и воспитание научных кадров, обеспечение и поддержание высокого научного уровня ведущихся в нем исследований. В настоящее время ИФТТ РАН представляет собой одно из крупнейших академических учреждений физического профиля в России, является признанным научным центром, где проводится широкий круг исследований в области физики конденсированного состояния и физического материаловедения.

Осипьян был прекрасным педагогом и воспитателем научных кадров. По его инициативе в поселке Черноголовка (Московская область) при ИФТТ РАН в 1962 году были созданы кафедра физики твердого тела Московского физико-технического института и филиал кафедры физической химии Московского института стали и сплавов. На протяжении многих лет он читал лекции студентам и аспирантам. До самых последних дней своей жизни заведовал кафедрой физики твердого тела МФТИ. Под руководством Осипьяна защитили диссертации десятки будущих крупных российских ученых. Позже по его инициативе был создан физико-химический факультет МГУ, который сейчас успешно работает, набирает силы и авторитет. В 2006-2008 годах Осипьян был деканом этого факультета. Также с 1997 года - заведующий кафедрой физики конденсированного состояния Подмосковного филиала физического факультета МГУ в Черноголовке, с 1996 - директор Подмосковного филиала МГУ.

У казом Президиума Верховного Совета СССР от 16 апреля 1986 года за большие заслуги в развитии физической науки и подготовке научных кадров директору Института физики твердого тела АН СССР Осипьяну Юрию Андреевичу присвоено звание Героя Социалистического Труда с вручением ордена Ленина и золотой медали «Серп и Молот».

В 1988-1991 годах - вице-президент АН СССР, в 1991-2001 годах – вице-президент РАН. С 2001 года - советник Президиума РАН. Член бюро Отделения общей и прикладной физики РАН с 1990 года. Доктор физико-математических наук (1968). Профессор (1969).

Заслуги Осипьяна получили широкое международное признание. Он являлся иностранным членом национальных академий Болгарии, Венгрии, Польши, Чехии, членом Национальной инженерной академии США, Международной академии астронавтики, он успешно возглавлял Международный Союз в области чистой и прикладной физики.

Жил в городе-герое Москве. Скончался 10 сентября 2008 года. Похоронен на муниципальном кладбище города Черноголовка Ногинского района Московской области.

Награждён двумя орденами Ленина (1981, 1986), двумя орденами Трудового Красного Знамени (1971, 1975), орденом «За заслуги перед Отечеством» 2-й степени (1999), медалями, иностранной наградой - орденом Симона Боливара (Колумбия, 1989). Награждён многими научными наградами - Большой золотой медалью имени М.В.Ломоносова РАН (2005), Золотой медалью имени А.П. Карпинского АН СССР (1990), Золотой медалью имени П.Н. Лебедева АН СССР (1984).

Иностранный член Болгарской АН (1989).

Автор научного открытия "Фотопластический эффект", которое занесено в Государственный реестр открытий СССР под № 93 с приоритетом от 21 декабря 1967 г. в следующей формулировке: "Установлено ранее неизвестное явление, заключающееся в изменении сопротивления пластической деформации кристаллов полупроводников под действием света, причем максимальное изменение происходит при длинах волн, соответствующих краю собственного поглощения кристаллов".

Занимаемые должности

• Вице-президент АН СССР (1988-1991), вице-президент РАН (1991-2001), Председатель Совета директоров Ногинского научного центра РАН.
• Член Президентского Совета СССР (1990)
• Директор (с 2002 года научный руководитель) Института физики твёрдого тела РАН
• Заведующий кафедрой физики твёрдого тела факультета общей и прикладной физики МФТИ (1964-)
• Заведующий кафедрой физики конденсированного состояния физического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова
• Народный депутат СССР (1989-1991)
• Декан физико-химического факультета МГУ им. М. В. Ломоносова (2006-2008)
• Был первым вице-президентом Международного союза теоретической и прикладной физики.
• Был главным редактором журнала «Поверхность: физика, химия, механика», членом редколлегии журнала «Кристаллография», председателем редакционной коллегии библиотечки «Квант» (издательство «Наука»)

Награды

• Герой Социалистического Труда (1986 г.)
• Орден «За заслуги перед Отечеством» II степени (1999 г.)
• Орден Ленина (1981, 1986 гг.)
• Орден Трудового Красного Знамени (1971, 1975 гг.)
• Большая золотая медаль имени М. В. Ломоносова, 2005 - за фундаментальный вклад в физику дислокаций в твёрдых телах и открытие фотопластического эффекта
• Золотая медаль РАН им. П. Н. Лебедева, 1984 г. - за цикл работ «Исследование влияния света на пластическую деформацию кристаллов и открытие фотопластического эффекта»
• Орден Симона Боливара (Колумбия), 1990 г.
• Золотая медаль и премия им. А. П. Карпинского (ФРГ), 1988 г.